栗占国

王占国院士于1938年12月29日出生于中国河南省镇平县，是世界著名的半导体材料物理学家。 王院士1962年毕业于南开大学物理系，并于同年到中国科学院半导体研究所工作至今。 王院士在半导体材料和材料物理领域取得了杰出的成就。 在早期职业生涯中，他致力于人造卫星用硅太阳能电池辐照效应以及和电子材料、器件和组件的静态、动态和核瞬态辐照效应研究，为中国的两弹一星事业做出了贡献。 1980年至1983年...